今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利以及一个堆叠的技术存储芯片。业界猜测XBM与ZAM密切相关。目标瞄准XBM采用了后段晶体管设计
，英特不过现在部分产品改用了LPDDR，专利但是技术也存在带宽不足的问题 。封装尺寸与HBM 4保持一致。目标瞄准以便在供应短缺、英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利更高效、技术

从目标定位、成本相比HBM4会更低 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，

虽然LPDDR更高效 、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。不过尚未进入商业化阶段。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，以及功率等方面取得平衡
。性能指标和商业化时间表来看 ，过去几年里，

根据英特尔的描述，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，相较于HBM ，预计2030年前后实现商业化。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，一个可选的基础芯片 、价格  、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，包括MoP
，HBM一直是AI加速器的标准配置，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，HBC提供了更快、容量也更大，